ACS Nano：氮掺杂石墨烯中电子—空穴非对称散射

新闻中心

首页>新闻资讯>新闻中心

2024-04-26 16:56:57

ACS Nano：氮掺杂石墨烯中电子—空穴非对称散射

【引言】

石墨烯由蜂窝状结构的单层碳原子组成，是一种具有狄拉克级能量分散的材料。由于其电子传输特性和在电子器件中的应用潜力而引起了广泛的研究兴趣。然而，杂质尤其是晶格中带电荷的杂质的存在会影响石墨烯的电学性能。当接近狄拉克点时，由于态密度消失，石墨烯的传输性能对带电杂质的散射高度敏感。因此，可以采用物理和化学的方法对石墨烯进行掺杂，以提升石墨烯的电学性能。在众多的掺杂中，理论和实验均表明，石墨氮掺杂石墨烯晶格不仅可以实现n型掺杂而且载流子可以保持较高的迁移率。

【成果简介】

最近，北京大学、瑞典隆德大学的徐洪起教授和北京大学的刘忠范教授、康宁老师（共同通讯）等在ACS Nano上发表题为“Electron−Hole Symmetry Breaking in Charge Transport in Nitrogen-Doped Graphene”的文章。采用CVD的方法制备了高质量的石墨氮掺杂石墨烯。通过对其电、磁传输性质的测量，研究了石墨氮掺杂石墨烯中的散射过程。其中，材料的谷间散射表现出强的电子—空穴非对称性，从而表现出特殊的电学特性。