低熔点共晶体系，如共晶镓−铟（EGaIn）合金，在纳米冶金领域具有巨大的潜力，但其界面行为仍有待研究。
近日，澳大利亚新南威尔士大学Kourosh Kalantar-Zadeh，Cyrille Boyer报道了研究了聚多巴胺（PDA）包覆引发的EGaIn纳米合金的成分变化。
文章要点
1）研究发现，在EGaIn纳米合金表面引入PDA，可以形成核−壳纳米结构，这些结构伴随着Ga−In在纳米合金中的相分离。在合成过程中，PDA外壳不断消耗EGaIn纳米合金中的Ga3+，导致一种Ga3+配位的PDA涂层和较小的纳米合金。在此过程中，共晶纳米合金转变为非共晶体系，当Ga完全耗尽时，最终导致In的凝固。
2）研究人员以Ga3+配位的PDA包覆纳米合金与二氧化氮气体的反应为例，展示了这种杂化复合材料的功能性。
这种具有聚合物储存库的相分离系统的概念有望用于定制材料，并且可以在各种过渡后金属上进行探索。
参考文献
Wanjie Xie, et al, Polydopamine Shell as a Ga3+ Reservoir for Triggering Gallium−Indium Phase Separation in Eutectic Gallium−Indium Nanoalloys, ACS Nano, 2021
DOI: 10.1021/acsnano.1c07278
https://doi.org/10.1021/acsnano.1c07278