一种高电导率mxene/银纳米线复合电磁屏蔽膜的制备方法

技术领域

1.本发明涉及电磁屏蔽及薄膜材料领域，尤其是涉及一种高电导率mxene/银纳米线复合电磁屏蔽膜的制备方法。

背景技术：

2.随着电磁屏蔽领域的发展，人们对于电磁屏蔽薄膜的性能要求也逐渐提高，不仅要具备优异的电磁屏蔽性能，同时还需要质轻、超薄、便携、易制、耐腐蚀和抗断裂等性能，其中质轻性能成为近年来电磁屏蔽材料研究人员们的研究热点，这是由于单一化密度或厚度的电磁屏蔽效能是评判一种电磁屏蔽材料优异与否的重要标准。传统的金属材料虽具备优异的电导率和电磁屏蔽性能，但是其密度大、易腐蚀的缺点使其不具备长久的使用性，因而许多的质轻电磁屏蔽薄膜逐渐崭露头角。像通过相转变法制备的以聚醚酰亚胺(pei)为泡沫基材的质轻(0.28~0.4 g/cm3)复合材料gn@fe3o4，具有在x波段优异的比屏蔽效能(sse=41.5 dbcm3g

‑1)，其优异的电磁屏蔽性能归因于泡沫中的微小气泡，这些气泡可以通过纳米膜和壁之间的散射和多次内部反射减弱电磁波，并且可以防止电磁波在被吸收和削弱之前轻易逸出。还有报道了的低密度微孔pei/gn泡沫，其在pei膜壁上堆积和排列石墨烯使得最终薄膜的sse的范围为17

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44 dbcm3g

‑1。而采用定向冷冻干燥法组装了排列的多孔mwcnt/wpu复合材料，其显示出高达1148 dbcm3g

‑1的出色sse。但是，通常质轻薄膜材料因其低密度而导致很难具备高的电导率，这会影响到薄膜的电磁屏蔽效能和绝对效能，因此质轻薄膜材料具备高的电导率乃至有意的电磁屏蔽性能仍然是一个挑战。

3.专利号cn201911420173.8，专利名称“一种mxene/银纳米线复合电磁屏蔽膜”，本发明公开了一种mxene/银纳米线复合电磁屏蔽膜，所述复合电磁屏蔽膜由mxene、银纳米线和粘结剂制成;其中，mxene和银纳米线的质量比为0.05

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20，粘结剂的质量用量为mxene和银纳米线总质量用量的0.001

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10 %;所述粘结剂为海藻酸钠、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、壳聚糖、羟丙基甲基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基纤维素钠中的一种或几种的混合;所述mxene/银纳米线复合电磁屏蔽膜通过如下方法制备：将银纳米线溶液与粘结剂充分混合后得到混合液1，混合液1再与mxene溶液充分混合，得到混合液2;将混合液2抽滤成膜，即得到mxene/银纳米线复合电磁屏蔽膜。上述专利的不足之处在于，电导率较低。